DRAM內存接班人——MRAM高速內存技術
2017-09-18 14:11:14
人們一直以來都覺得電腦開機之后看著Windows進度條一次次劃過，然后點擊登錄、打開桌面這樣的過程是理所當然？之所以每次開機時操作系統都必須重新做一次內存初始化的操作，是因為現在的電腦普遍都是使用動態(tài)隨機存取技術(DRAM)的內存， SDRAM、DDR和DDR II都屬于這種內存。使用了DRAM技術的內存的一個關鍵特點就是它們屬于揮發(fā)性內存(volatile memory)，意思就是一旦斷電，它里面的數據就會丟失。換言之就是DRAM內存里面的數據必須得依靠不斷供電來刷新才得以維持的。
因此，操作系統在每次開機的時候，必須要把一系列系統本身要使用的數據再次寫入內存，這就是在開機等待時間里操作系統完成的工作。對于DRAM內存來說，如果要取消這個過程，供內存刷新的電力是不能中斷的。所謂的睡眠(sleep)模式，實際上計算機還在繼續(xù)耗電，只不過是比正常運行時用電量少一些而已。
東芝集團近日在美國佛羅里達州的坦帕市(Tampa)發(fā)布了一種新型內存——磁阻內存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)，它的出現將使得這種情況成為過去。
磁阻內存和DRAM內存的原理完全不同。DRAM內存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來進行的，它不但需要保持通電狀態(tài)，還需要周期性地給電容充電才能保證內容不丟。而磁阻內存的存儲原理則是完全不使用電容，它采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個非磁金屬層或絕緣層來夾持一個金屬導體的結構。通過改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導體的磁致電阻(magnetoresistance)就會發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過它的電流就會變小，反之亦然。
因此，只需用一個三極管來判斷加電時的電流數值就能夠判斷鐵磁體磁場方向的兩種不同狀態(tài)來區(qū)分"0"和"1"了。由于鐵磁體的磁性幾乎是永遠不消失的，因此磁阻內存幾乎可以無限次地重寫。而鐵磁體的磁性也不會由于掉電而消失，所以它并不像一般的內存一樣具有揮發(fā)性，而是能夠在掉電以后繼續(xù)保持其內容的。
本文關鍵詞：
SDRAM DDR DDR II MRAM
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