低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品，作為靜態(tài)隨機訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機訪問存儲器（SRAM）作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。
 
ISSI IS62WV12816DBLL-55TI是高速2M位靜態(tài)RAM，位寬為16x128K字。它采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，可產生高性能和低功耗的設備。通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內存擴展。有效的低寫入使能控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)和低字節(jié)訪問。
 
IS62WV12816DBLL-55TI高速存取時間為55ns,采用CMOS低功耗操作,工作電壓為2.5V~3.6V,完全靜態(tài)操作,無需時鐘或刷新,三態(tài)輸出,高字節(jié)和低字節(jié)的數(shù)據(jù)控制,工作溫度范圍為–40℃ to +85℃，采用JEDEC標準44引腳TSOP(TYPEII)封裝。ISSI代理英尚微電子支持提供樣品測試及技術支持。
 
ISSI主要為汽車，通信，數(shù)字消費，以及工業(yè)和醫(yī)療市場設計開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者。主要產品是高速低功耗SRAM和中低密度 DRAM。還設計和銷售 NOR 閃存產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。

本文關鍵詞：IS62WV12816DBLL-55TI,SRAM

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