富士通型號MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機存取存儲器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。能夠保持數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85RS2MTA采用串行外圍設備接口SPI。
 
MB85RS2MTA中使用的存儲單元可用于10¹³個讀/寫操作，與Flash存儲器和E2PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比，有了顯著改進。MB85RS2MTA不需要花費很長時間就可以寫入閃存或E2PROM之類的數(shù)據(jù)，MB85RS2MTA不需要等待時間。FUJITSU代理可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
 
MB85RS2MTA特征
•位配置：262,144字x8位
•串行外圍設備接口：SPI（串行外圍設備接口）
對應于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•工作頻率：40MHz（最大）
•高耐久性：10¹³次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年以上（+ 35°C）
•工作電源電壓：1.8 V至3.6 V
•低功耗：工作電源電流2.3mA（最大@40 MHz）
待機電流50μA（最大值）
休眠電流10μA（最大值）
•工作環(huán)境溫度（溫度范圍：-40°C至+ 85°C
•封裝：8針塑料SOP（FPT-8P-M09）
 8針塑料DIP（DIP-8P-M03）
 符合RoHS
 
引腳
   
 
FRAM具有特性能成就技術(shù)“硬核”，F(xiàn)RAM是存儲界的實力派。除非易失性以外，F(xiàn)RAM還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。其中FRAM寫入次數(shù)壽命高達10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時FRAM寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有優(yōu)勢。與傳統(tǒng)的存儲技術(shù)相比，F(xiàn)RAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現(xiàn)出眾、口碑良好。


本文關(guān)鍵詞： FRAM  

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