Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位構成。對于這款并行MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。并行MRAM是大多數(shù)手機 、 移動設備、膝上機、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術的特性上來看，可以預計它將能解決包括計算機或手機啟動慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等問題，明顯改變消費者使用電子沒備的方式。

 

并行MRAM特性
 

+3.3V電源

35 ns快速讀/寫周期

SRAM兼容時序

出色的耐讀/寫能力

在工作溫度范圍內數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失

符合RoHS標準的小外形BGA和TSOP封裝

 

并行mram優(yōu)勢
 

一個存儲器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單、高效的設計

替代電池供電的SRAM，提高可靠性

本文關鍵詞：并行MRAM

 

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