ReRAM最先獲得立足點的領(lǐng)域之一是電源管理 IC (PMIC) 和其他高壓設(shè)計。每臺電子設(shè)備都至少有一個 PMIC 管理系統(tǒng)配電，而且對可編程 PMIC 的需求日益增加，以支持增強(qiáng)型無線充電和智能電機(jī)控制器等趨勢。對于這些設(shè)備，PMIC 必須是智能的，并且能夠運(yùn)行多種算法，這就需要一個微控制器 (MCU) 和一個低功耗、高密度且經(jīng)濟(jì)高效的 NVM。
 

    為了降低成本和功耗，人們開始超越雙芯片解決方案，將 MCU 與其 NVM 單片集成在單個芯片上，并配備電源管理電路。嵌入式閃存太昂貴，需要多達(dá) 10 個額外的掩模來制造。閃存也很難集成，因為它是在前端線路 (FEOL) 制造的，與模擬電路一起制造并影響它，迫使公司做出妥協(xié)，導(dǎo)致性能下降、尺寸增大和成本增加。這對于使用雙極-CMOS-DMOS (BCD) 工藝制造的設(shè)備尤其成問題，因為在這種工藝中，人們投入了大量精力來優(yōu)化 FEOL 電源組件。
 

    ReRAM 是一種后端制程 (BEOL) 技術(shù)，因此不會干擾 PMIC 設(shè)計。與必須適應(yīng)每種變體的閃存不同，像 ReRAM 這樣的 BEOL 技術(shù)也可以針對一種幾何結(jié)構(gòu)采用一次，并適用于所有變體。而且由于 ReRAM 只需要兩個額外的掩模，因此它的成本效益顯著提高。采用 ReRAM 的 PMIC、音頻編解碼器和其他高壓設(shè)計已經(jīng)投入生產(chǎn)


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