隨著人工智能/機器習(AI/ML)在全球范圍內(nèi)的迅速興起，2020年，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E、HBM3)為代表的超帶寬解決方案開始逐漸顯露頭角。進入2023年后，以ChatGPT為代表的生成式人工智能市場的瘋狂擴張，在讓AI服務器需求迅速增加的同時，也帶動了HBM3等高階產(chǎn)品的銷售上揚。

 

    從2023年到2027年，HBM市場收入的年增長率預計將飆升52%，其在DRAM市場收入中的份額預計將從2023年的10%增加到2027年的近20%。而且，HBM3的價格大約是標準DRAM芯片的5-6倍，這就是為什么2023年HBM出貨量僅占DRAM總出貨量的1.7%，但其銷售額比例卻達到了11%，英偉達、AMD、微軟、亞馬遜等芯片大廠排隊搶貨，甚至溢價也可考慮的原因。

 

    HBM技術于2013年推出，是一種高性能3D堆棧DRAM構(gòu)架，數(shù)據(jù)傳輸速率大概可以達到1Gbps左右。此后，該技術標準差不多每隔2-3年就會更新一代，使得第二代(HBM2)、第三代(HBM2E)、第四代(HBM3)和第五代(HBM3E)產(chǎn)品的帶寬和最高數(shù)據(jù)傳輸速率記錄被不斷刷新。鑒于同期內(nèi)其他產(chǎn)品的帶寬僅增加兩到三倍，我們有理由將HBM產(chǎn)品的快速發(fā)展歸功于存儲器制造商之間激烈的競爭。

 

    目前來看，作為一項重要的技術創(chuàng)新，HBM的發(fā)展前景是相當光明的，尤其是在人工智能訓練應用中。但對比GDDR DRAM動輒16/18Gbps的速率，HBM3的速率即便達到9.2Gbps，也仍然存在差距，而限制HBM發(fā)展的原因則主要來自兩方面：一是中介層，二是3D堆疊帶來的復雜性和制造成本的增加。


本文關鍵詞：DRAM

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